特許
J-GLOBAL ID：200903015202876326

半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型

発明者：
高瀬 慎二

高瀬 慎二 について

, 
田村 孝司

田村 孝司 について

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大西 洋平

大西 洋平 について


出願人/特許権者：
TOWA株式会社

TOWA株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-037179
公開番号（公開出願番号）：特開2005-225133
出願日： 2004年02月13日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】様々な基板に装着された半導体チップを三型の構成を備えた金型にて樹脂封止し且つ離型フィルム成形と真空引き成形とを併用実施することにより成形された封止済基板(製品)と金型との離型時に発生する成形不良を効率良く防止することができる、半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、三型13・14・15と少なくとも下型キャビティ面26を含む成形金型面を被覆する離型フィルム17とを用いて、フィルム17を成形金型面に被覆する際に、下型14と中間型15とを上下方向へ嵌装させて、下型キャビティ面26の上面19側と中間型15の下面25側とにフィルム17を張設し、更に、この状態で、少なくとも下型キャビティ面26とキャビティ部材52により構成されるキャビティ面54とを含む下型キャビティ16全面を離型フィルム17で被覆することを特徴とする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
上型と該上型に対向配置した下型と前記上型と下型との間に配置した中間型との三型の構成を備えた樹脂封止成形用金型、および、少なくとも前記下型側に設けたキャビティ面を含む成形金型面を被覆する離型フィルムを用いると共に、基板に装着した半導体チップを前記離型フィルムにて被覆した前記下型キャビティ内に嵌入させ、且つ、この状態で前記半導体チップを該下型キャビティ内に供給した樹脂材料にて封止成形する半導体チップの樹脂封止成形方法であって、 前記離型フィルムを前記成形金型面に被覆する際に、前記下型と中間型とを上下方向へ嵌装させて、前記下型キャビティ面の上面側と中間型の下面側とに前記離型フィルムを張設し、更に、この状態で、前記下型キャビティ面の外周囲となる該下型と中間型との間にキャビティ部材を嵌入させることによって、少なくとも前記した下型キャビティ面とキャビティ部材により構成されるキャビティ面とを含むキャビティの全面を前記離型フィルムにて被覆するようにしたことを特徴とする半導体チップの樹脂封止成形方法。
IPC (5件)：
B29C43/18 ,  B29C33/12 ,  B29C33/68 ,  B29C43/36 ,  H01L21/56
FI (5件)：
B29C43/18 ,  B29C33/12 ,  B29C33/68 ,  B29C43/36 ,  H01L21/56 T
Fターム (34件)：
4F202AD03 ,  4F202AD08B ,  4F202AD20B ,  4F202AH37 ,  4F202CA09 ,  4F202CB01 ,  4F202CB12 ,  4F202CB17 ,  4F202CB20 ,  4F202CK43 ,  4F202CM72 ,  4F202CQ01 ,  4F202CQ05 ,  4F204AD03 ,  4F204AD08 ,  4F204AD20 ,  4F204AH37 ,  4F204AM26 ,  4F204AM28 ,  4F204FA01 ,  4F204FA15 ,  4F204FB01 ,  4F204FB12 ,  4F204FB17 ,  4F204FF01 ,  4F204FF05 ,  4F204FN12 ,  4F204FQ15 ,  4F204FQ38 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DA06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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