特許
J-GLOBAL ID：200903015214099643

1ないし5nmの厚さの金属キャップを用いる改良されたオンチップCu相互接続

発明者：
ジョン・ブルーレイ

ジョン・ブルーレイ について

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ロイ・エイ・カラザーズ

ロイ・エイ・カラザーズ について

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リン・マリー・ギグナック

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カオ・クン・フー

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エリック・ゲルハルト・リニガー

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サンドラ・ガイ・マルホトラ

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ステファン・エム・ロスナーゲル

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出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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代理人 (4件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史 ,  太佐 種一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-007419
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203197
出願日： 2006年01月16日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 1から5nmの厚さの金属キャップを用いた改良されたオンチップCu相互接続を提供する。【解決手段】 開示されているのは、層間の誘電体又は誘電体拡散障壁層の堆積に先立って、1から5nmの厚さの元素でCuダマシン配線の表面をコーティングする手順である。そのコーティングは、酸化に対する防御をもたらし、Cuと誘電体の間の密着力を増し、そしてCuの界面拡散を減少させる。さらに、その薄いキャップ層はCuのエレクトロマイグレーション寿命を増し、応力により誘起されたボイド発生を減らす。選択された元素は、Cu配線間のショートを引き起こすことなしに、下層の誘電体中に埋込まれたCuの上に直接堆積することができる。これらの選ばれた元素は、酸素及び水に関する負の高い還元電位と、Cuへの低い溶解度、及びCuとの化合物形成に基づいて選ばれている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
0.5ないし5nmの厚さの選択された元素の膜でキャップされたデュアル又はシングルダマシンCu相互接続を有する多層相互接続構造体であって、前記元素が、-0.01Vから-4Vまでの電気化学系列に関する標準還元電位と、300°Cにおいて3原子パーセントより低いCuへの溶解度を持ち、Cuと化合物を形成するものであることを特徴とする構造体。
IPC (1件)：
H01L 21/768
FI (1件)：
H01L21/90 A
Fターム (42件)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH22 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ22 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ93 ,  5F033RR03 ,  5F033SS26 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06 ,  5F033XX14 ,  5F033XX18
引用特許：
出願人引用 (20件)
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審査官引用 (4件)
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