特許

J-GLOBAL ID：200903015232474125

酸化シリコン膜形成法

発明者： 井上 雄史 ,  山葉 隆久
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-117026
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283515
出願日： 1996年04月15日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 水素シルセスキオキサン樹脂膜をセラミック化して酸化シリコン膜を形成する方法において、酸化シリコン膜の表面に微小突起が発生するのを防ぐ。【解決手段】 基板30の表面を覆って回転塗布法等により水素シルセスキオキサン樹脂膜を形成した後、該樹脂膜にN2 雰囲気中で熱処理を施してプレセラミック状の酸化シリコン膜40を形成する。次に、O2 とN2 を含む雰囲気中で250°C以上400°C未満の範囲内の温度で熱処理を行なうことで膜40をセラミック状の酸化シリコン膜にする。400°C未満の温度でセラミック化のための熱処理を行なうと、膜40の表面に微小突起が発生するのを防げる。膜40は、プレセラミック化工程なしでセラミック化してもよい。

請求項（抜粋）：

基板の表面を覆って水素シルセスキオキサン樹脂膜を平坦状に形成する工程と、前記水素シルセスキオキサン樹脂膜に不活性ガス雰囲気中で第1の熱処理を施すことにより該樹脂膜をプレセラミック状の酸化シリコン膜にする工程と、前記酸化シリコン膜に酸化性雰囲気中で第2の熱処理を施すことにより前記酸化シリコン膜をセラミック状の酸化シリコン膜にする工程とを含む酸化シリコン膜形成法であって、前記第2の熱処理を250°C以上400°C未満の範囲内の温度で行なうことを特徴とする酸化シリコン膜形成法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/316 C ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 R ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸化ケイ素膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-352735   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-030667   出願人：日本電気株式会社
• 酸化ケイ素膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-353644   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社