特許
J-GLOBAL ID：200903015236113593
半導体基板への貫通配線の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-181074
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005403
出願日： 2005年06月21日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】半導体基板に貫設される貫通孔の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔の内周面に形成された絶縁層との密着性が良好な貫通配線を形成可能な半導体基板への貫通配線の形成方法を提供する。 【解決手段】半導体基板1に厚み方向の両側から中間位置に近づくにつれて開口面積が徐々に小さくなる貫通孔2を形成し(図1(a))、その後、半導体基板1の一表面および他表面および貫通孔2の内周面に絶縁層3を形成する(図1(b))。続いて、絶縁層3のうち半導体基板1の上記一表面および貫通孔2の内周面に形成されている部位の表面に金属層4を被着する(図1(c))。その後、金属層4をシード層として電解メッキ法により貫通孔2の内側を埋め込む金属部5であり金属層4とともに貫通配線6(図1(e))を構成する金属部5を析出させ(図1(d))、金属部5の不要部分を除去する(図1(e))。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板への貫通配線の形成方法であって、半導体基板に厚み方向に貫通し前記厚み方向の両側から中間位置に近づくにつれて開口面積が徐々に小さくなる貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、半導体基板の一表面および他表面および貫通孔の内周面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、半導体基板の少なくとも前記一表面側および貫通孔の内側で絶縁層の表面に金属層を被着する金属層形成工程と、金属層をシード層として電解メッキ法により貫通孔の内側を埋め込む金属部であり金属層とともに貫通配線を構成する金属部を析出させる電解メッキ工程とを備えることを特徴とする半導体基板への貫通配線の形成方法。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
5F033GG02
, 5F033JJ07
, 5F033JJ11
, 5F033MM30
, 5F033NN30
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033PP27
, 5F033QQ07
, 5F033QQ12
, 5F033QQ13
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033SS11
, 5F033SS25
, 5F033TT07
, 5F033XX02
, 5F033XX14
出願人引用 (1件)
-
有底孔のめっき充填方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-142548
出願人：株式会社デンソー, 近藤和夫, 株式会社東芝, 富士通株式会社, ソニー株式会社
審査官引用 (5件)
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