特許
J-GLOBAL ID:200903077062649656

有底孔のめっき充填方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 矢作 和行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-142548
公開番号(公開出願番号):特開2003-328180
出願日: 2002年05月17日
公開日(公表日): 2003年11月19日
要約:
【要約】【課題】アスペクト比が大きな有底孔であっても、内部に発生する空洞を減少させることが可能な有底孔のめっき充填方法を提供すること。【解決手段】CuSO4・5H2Oの濃度を130(g/L)〜180(g/L)、H2SO4の濃度を180(g/L)〜220(g/L)、Cl-の濃度を100(mg/L)〜1000(mg/L)、硫黄を含む促進剤の濃度を0.1(mg/L)〜7.5(mg/L)、ポリマーからなる抑制剤の濃度を400(mg/L)〜2000(mg/L)としためっき液を使用しつつ、めっき電流を直流とし、かつ有底孔23の開口面積に対する電流密度を0.1mA/cm2〜3mA/cm2とした。これにより、有底ビアホール23開口部でのCuめっきの生成を抑制しつつ、有底孔底面及び側面からCuめっきを堆積させることができる。
請求項(抜粋):
有底孔内をCuめっきで充填する有底孔のめっき充填方法であって、 CuSO4・5H2O 130(g/L)〜180(g/L) H2SO4 180(g/L)〜220(g/L) Cl- 100(mg/L)〜1000(mg/L) 硫黄を含む促進剤 0.1(mg/L)〜7.5(mg/L) ポリマーからなる抑制剤 400(mg/L)〜2000(mg/L)を含むめっき液を使用しつつ、めっき電流を直流とし、かつ有底孔の開口面積に対する電流密度を0.1mA/cm2〜3mA/cm2としたことを特徴とする有底孔のめっき充填方法。
IPC (5件):
C25D 3/38 101 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205
FI (5件):
C25D 3/38 101 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/88 J
Fターム (39件):
4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K023BA08 ,  4K023CB09 ,  4K023CB13 ,  4K023CB21 ,  4K023DA02 ,  4K023DA06 ,  4K023DA07 ,  4K024AA09 ,  4K024AB08 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CA01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA06 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104BB30 ,  4M104DD52 ,  4M104FF01 ,  4M104HH16 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ47 ,  5F033SS04 ,  5F033TT07 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033WW08 ,  5F033XX04 ,  5F033XX10
引用特許:
審査官引用 (7件)
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