特許

J-GLOBAL ID：200903015335055023

銅/ルテニウム基材のCMP

発明者： トンプソン,クリストファー ,  ブルシック,ブラスタ ,  チョウ,レンチー
出願人/特許権者： キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  出野 知
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-537751
公開番号（公開出願番号）：特表2009-514219
出願日： 2006年10月12日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

本発明は、基材を化学機械研磨する方法を提供する。ルテニウムと銅を含む基材が、研磨成分と、過酸化水素と、有機酸と、少なくとも1つの窒素原子を含む少なくとも1つの複素環式化合物と、水とを含む化学機械研磨系と接触される。基材に対して研磨成分を動かし、基材の少なくとも一部を削って基材を研磨する。この研磨系のpHは6〜12であり、ルテニウムと銅は電気的に接触しており、研磨系における銅の開路電位とルテニウムの開路電位の差は50mV以下である。

請求項（抜粋）：

(i)少なくとも1つのルテニウム層と少なくとも1つの銅層を含む基材を (a)研磨パッド、研磨剤及びそれらの組み合わせからなる群より選択される研磨成分と、 (b)過酸化水素と、 (c)有機酸と、 (d)少なくとも1つの窒素原子を含む少なくとも1つの複素環式化合物と、 (e)水と を含む化学機械研磨系と接触させる工程、 (ii)該基材に対して該研磨成分を動かす工程、並びに (iii)該基材の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程 を含み、前記水及びそれに溶解又は懸濁している任意の成分のpHが6〜12であり、前記少なくとも1つのルテニウム層と前記少なくとも1つの銅層が電気的に接触しており、前記水及びそれに溶解又は懸濁している任意の成分中における銅の開路電位とルテニウムの開路電位の差が50mV以下である、基材を化学機械研磨する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (6件)：

H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622X ,  H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 金属用研磨液及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-156290   出願人：日立化成工業株式会社
• ポリマー性錯体形成剤を使用する銅CMPのための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-551828   出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション
• 希土類塩/酸化剤に基づいたCMP法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-530778   出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション