希土類塩/酸化剤に基づいたCMP法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 西山雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-530778
公開番号（公開出願番号）：特表2005-503678
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

本発明は、研磨剤及び/又は研磨パッドと、希土類塩と、該希土類塩よりも強い酸化体である酸化剤と、液体キャリヤーとを含んで成る化学機械研磨系を用いて、金属層を含んで成る基材を研磨するための方法を提供する。

請求項（抜粋）：

(i)少なくとも1つの金属層を含んで成る基材を、 (a)研磨剤及び/又は研磨パッドと、 (b)希土類塩と、 (c)該希土類塩よりも強い酸化体である酸化剤と、 (d)液体キャリヤーとを含んで成る化学機械研磨系と接触させること、並びに (ii)該基材の該金属層の少なくとも一部を削って該金属層を研磨することを含んで成る、基材を研磨する方法。

IPC (3件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D , B24B37/00 H , C09K3/14 550D , C09K3/14 550Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058CB01 , 3C058DA02 , 3C058DA12

引用特許：

審査官引用 (8件)

研磨方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-149156 出願人：株式会社東芝
半導体装置用金属膜研磨スラリー
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-300827 出願人：昭和電工株式会社
平坦化のための研磨工程およびスラリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-315093 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

全件表示

前のページに戻る