特許
J-GLOBAL ID：200903015374837586

窒化物系化合物半導体の製造方法及び窒化物系化合物半導体ウェハ並びに窒化物系化合物半導体デバイス

発明者：
藤倉 序章

藤倉 序章 について

, 
森島 嘉克

森島 嘉克 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-379407
公開番号（公開出願番号）：特開2003-178987
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】高濃度の正孔濃度を有し表面の平坦性の高いp型窒化物系化合物半導体の量産性の高い製造方法と、これにより得られる半導体ウェハおよび半導体デバイスを得る。【解決手段】少なくともアクセプタ原子を含むp層を有する窒化物系化合物半導体積層構造の形成を気相成長する窒化物化合物半導体の製造方法において、成長終了後の冷却を、解離による窒素放出時に水素を放出しない窒素原料(例えばトリメチルヒドラジン)雰囲気中で行うか、又は解離による窒素放出時に水素を放出しない窒素原料雰囲気と不活性ガスの混合気体中で行う。
請求項（抜粋）：
少なくともアクセプタ原子を含むp層を有する窒化物系化合物半導体の積層構造の形成を気相成長により行う窒化物系化合物半導体の製造方法において、成長終了後の冷却を、解離による窒素放出時に水素を放出しない窒素原料雰囲気中で行うことを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (33件)：
5F041AA24 ,  5F041AA42 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045DA66 ,  5F073CA02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (5件)
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