特許
J-GLOBAL ID：200903062746190094
p型窒化物半導体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-293319
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119065
出願日： 1999年10月15日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 成長後のアニーリングを行なうことなく良質なp型窒化物半導体を得られるようにする。【解決手段】 基板温度を約1050°Cにまで昇温した後、流量が約13L/分の窒素ガス及び流量が約3L/分の水素ガスをキャリアガスとし、流量が約4L/分のアンモニアガスと、流量が約80μmol/分のTMGと、流量が約0.2μmol/分でCp2Mgとを基板11上に約60分間導入することにより、バッファ層12上に、厚さが2μmでMgがドープされたGaNからなるp型窒化物半導体層13を成長させる。その後、基板温度を成長温度の1050°C付近から600°C付近にまで5分間掛けて冷却する。これにより、正孔キャリア濃度が1.2×1017cm-3のp型窒化物半導体を得る。
請求項（抜粋）：
温度が約600°Cを越える基板温度で保持された基板の上に、p型ドーパントを含む窒素源及びIII 族源を導入することにより、前記基板上に低抵抗のp型窒化物半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記p型窒化物半導体層が形成された基板を冷却する冷却工程とを備え、前記半導体層形成工程は、雰囲気に前記p型ドーパントの不活性化を抑制できる程度の水素を含み、前記冷却工程は、前記p型窒化物半導体層の正孔キャリア濃度がその低抵抗性を維持できる程度に減少する冷却時間で前記p型窒化物半導体層を冷却することを特徴とするp型窒化物半導体の製造方法。
Fターム (10件)：
5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA77
