特許
J-GLOBAL ID：200903015377892278

窒化アルミニウム基板およびその製造方法

発明者：
五代儀 靖

五代儀 靖 について

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佐藤 英樹

佐藤 英樹 について

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水野谷 信幸

水野谷 信幸 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085346
公開番号（公開出願番号）：特開2001-261444
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：
【要約】【課題】高熱伝導率を有するとともに、加工性を向上させた窒化アルミニウム基板を得るとともに、大型基板から基板を多数個取りし、基板の量産化およびコスト低減を図った窒化アルミニウム基板の製造方法を得る。【解決手段】ビッカース硬度Hvが1000以上1300以下で、かつ、破壊靭性値Kcが2MPa・m1/2以上4MPa・m1/2以下である窒化アルミニウムからなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ビッカース硬度Hvが1000以上1300以下で、かつ、破壊靭性値Kcが2MPa・m1/2以上4MPa・m1/2以下である窒化アルミニウムからなることを特徴とする窒化アルミニウム基板。
IPC (2件)：
C04B 35/581 ,  B41J 2/335
FI (3件)：
C04B 35/58 104 A ,  B41J 3/20 111 C ,  B41J 3/20 111 H
Fターム (15件)：
2C065JC06 ,  2C065JH05 ,  2C065JH14 ,  4G001BA03 ,  4G001BA09 ,  4G001BA36 ,  4G001BB03 ,  4G001BB09 ,  4G001BB36 ,  4G001BC22 ,  4G001BD03 ,  4G001BD12 ,  4G001BD16 ,  4G001BE22 ,  4G001BE32
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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