特許
J-GLOBAL ID：200903015403298053

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
冨士原 明

冨士原 明 について

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恩田 和彦

恩田 和彦 について

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分島 彰男

分島 彰男 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-182225
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026750
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 熱工程時においても外部からフッ素の侵入を抑制することができ、ドナーの不活性化を防止し、デバイス特性の劣化を避けることができる、熱的安定性に優れた電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 チャネルに電子を供給するためのドナーを少なくとも一部に含んだInAlAs層またはAlGaAs層を有する電界効果トランジスタにおいて、該InAlAs層中または該AlGaAs層中であって、該ドナーの添加された領域よりも表面側にアクセプタを添加するか、あるいは低温成長されたInAlAs層またはAlGaAs層を挿入する。
請求項（抜粋）：
チャネルに電子を供給するためのドナーが少なくとも一部に添加されたInAlAs層を有する電界効果トランジスタにおいて、該InAlAs層中であって該ドナー層とゲート電極との間にアクセプタが添加されたInAlAs層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/203
FI (2件)：
H01L 29/80 H ,  H01L 21/203 M
引用特許：
審査官引用 (4件)
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