半導体デバイスのコンタクト不良検査方法およびその装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-355082
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058608
出願日： 1998年12月14日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスのコンタクト不良検査システム及び方法並びに半導体デバイスの製造方法である。【解決手段】走査型電子顕微鏡を使用して検出された電子信号についてのデジタル化された値を用いて、コンタクトを検査し、無開コンタクトホールのような不良を識別することができる。このコンタクト不良検査は、少なくとも1つのコンタクトホールを含む単位面積から検出された電子信号値を正常なコンタクトに対応する電子信号を表す値と比較することによって行われる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの少なくとも一部分を検査する方法であって、半導体ウェーハの該一部分に関する走査型電子顕微鏡画像データを読み取るステップと、半導体ウェーハの該一部分に関するデータ中で該半導体ウェーハのフィーチャに関する画像データを識別するステップと、該フィーチャに関する画像データから該フィーチャと関連するパラメータを計算するステップと、該パラメータを該パラメータの一定の合格値範囲と比較するステップと、該パラメータの合格値範囲との比較に基づいて該フィーチャを分類するステップと、を具備したことを特徴とする半導体デバイスのコンタクト不良検査方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 , G01R 1/06 , G01R 31/02 , G01R 31/302 , H01J 37/22 502

FI (5件)：

H01L 21/66 J , G01R 1/06 F , G01R 31/02 , H01J 37/22 502 H , G01R 31/28 L

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-124810
高アスペクト比測定用検出システム
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-512665 出願人：メトロロジックスインコーポレイテッド
特開平4-269614

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