半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-344338
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156658
出願日： 2004年11月29日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】基板強度を保持しつつオン抵抗を低減し得る半導体装置を提供する。【解決手段】網目状の凸部により形成された複数の凹部を裏面に有し、第1の不純物濃度を有する半導体からなる支持体21と、前記支持体の前記裏面に対向する表面に形成され、前記第1の不純物濃度よりも低い第2の不純物濃度を有する半導体層3と、前記半導体層3に形成された半導体素子とを具備することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

網目状の凸部により形成された複数の凹部を裏面に有し、第1の不純物濃度を有する半導体からなる支持体と、前記支持体の前記裏面に対向する表面に形成され、前記第1の不純物濃度よりも低い第2の不純物濃度を有する半導体層と、前記半導体層に形成された半導体素子と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (16件)：

H01L 29/41 , H01L 21/28 , H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 29/739 , H01L 29/80 , H01L 29/808 , H01L 21/337 , H01L 29/861 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 21/336

FI (17件)：

H01L29/44 L , H01L21/28 301B , H01L29/06 301F , H01L29/06 301G , H01L29/78 652L , H01L29/78 652P , H01L29/78 652T , H01L29/78 655C , H01L29/80 V , H01L29/80 C , H01L29/91 F , H01L29/91 C , H01L29/80 H , H01L29/48 D , H01L29/78 658A , H01L29/78 658G , H01L29/78 658E

Fターム (40件)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD24 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104FF02 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG11 , 4M104GG18 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FB01 , 5F102GB01 , 5F102GB04 , 5F102GC02 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GK04 , 5F102GL02 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR11 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-260093 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-108757 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (6件)

特開平3-110868
特開昭62-063472
SiC半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-077213 出願人：株式会社東芝

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