半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-108757
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303966
出願日： 2002年04月11日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】高耐圧で低抵抗な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 SiC基板1の第1領域Re1に位置する部分をサンドブラスト法などにより選択的に除去して、第2領域Re2の厚さを400μmとして、凹部である第1領域Re1の厚さを200μmとする。SiC基板1のうち凹の形成された面の裏面上にn-エピタキシャル層3を形成する。n-エピタキシャル層3の一部にイオン注入を行なって、pウェル4およびソース領域5を形成する。そして、SiC基板1およびn-エピタキシャル層3のうち第1領域Re1が動作領域となるように、ゲート絶縁膜6,ゲート電極9,ソース電極8およびドレイン電極7を形成する。これにより、SiC基板1の第1領域Re1では、動作領域の厚さが薄いことから板抵抗の低減が可能となり、第2領域Re2では、機械的強度を保つことが可能となる。

請求項（抜粋）：

上面および下面のうち少なくともいずれか1方の面に凹部を有する半導体基板と上記半導体基板の上面上に形成された半導体層とを備え、上記半導体基板および上記半導体層の厚み方向に電流を流すための素子が形成されている半導体装置であって、上記半導体基板のうち上記凹部に位置する領域の少なくとも一部は、上記素子の動作領域であることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 21/28 301 , H01L 21/329 , H01L 21/336 , H01L 29/47 , H01L 29/861 , H01L 29/872

FI (8件)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 B , H01L 21/28 301 B , H01L 29/78 658 G , H01L 29/91 B , H01L 29/91 D , H01L 29/48 D , H01L 29/91 F

Fターム (22件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD34 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG18 , 4M104HH15

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-208065 出願人：株式会社日立製作所
半導体素子の作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-118126 出願人：株式会社日立製作所
高耐圧電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-050745 出願人：株式会社東芝

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