特許
J-GLOBAL ID：200903044799884820

シヨットキバリアダイオード及びその製造方法

発明者：
大塚 康二

大塚 康二 について

, 
杢 哲次

杢 哲次 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248737
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060212
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】GaN系シヨットキバリアダイオ-ドの低コスト化が困難であった。【解決手段】 シリコンから成る基板1の上にAlNから成る第1の層8とGaNから成る第2の層9とを交互に複数積層した構造のバッファ層2を設ける。バッファ層2の上シヨットキバリアダイオ-ド用の窒化ガリウム半導体領域3を形成する。
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体を用いたシヨットキバリアダイオードであって、不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有している基板と、前記基板の一方の主面上に配置されバッファ層と、前記バッファ層の上に配置された窒化物系化合物半導体領域と、前記半導体領域の表面にシヨットキバリア接触された第1の電極と、前記基板の他方の主面にオーミック接触された第2の電極とを備え、前記バッファ層は、化学式 Al<SB>x</SB>M<SB>y</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>Nここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、前記x及びyは、 0<x≦1、0≦y<1、x+y≦1、を満足する数値、で示される材料から成る第1の層と、化学式 Al<SB>a</SB>M<SB>b</SB>Ga<SB>1-a-b</SB>Nここで、前記MはIn(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、前記a及びbは、 0≦a≦1、0≦b<1、a+b≦1を満足させる数値、で示される材料とから成る第2の層との複合層とから成ることを特徴とするシヨットキバリアダイオード。
IPC (4件)：
H01L 29/872 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/48 H ,  H01L 27/04 A
Fターム (26件)：
4M104AA04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104DD99 ,  4M104GG03 ,  5F038AV05 ,  5F038AV20 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045DA53 ,  5F045EB13 ,  5F045EE12
引用特許：
審査官引用 (4件)
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