特許
J-GLOBAL ID：200903015531053853

エッチングのための犠牲基板

発明者：
バークマイアー, ジェフリー

バークマイアー, ジェフリー について

, 
デミング, スティーブン アール.

デミング, スティーブン アール. について


出願人/特許権者：
フジフィルム ディマティックス,インコーポレイテッド

フジフィルム ディマティックス,インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-538091
公開番号（公開出願番号）：特表2008-517780
出願日： 2005年10月21日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
シリコン基板をエッチングする方法が記載される。本方法は、第1シリコン基板(200)を犠牲シリコン基板(240、241)へ接合するステップを含む。第1シリコン基板(200)がエッチングされる。第1シリコン基板(200)が犠牲シリコン基板(240、241)から分離することを引き起こすために、第1シリコン基板(200)と犠牲シリコン基板(240、241)との界面に圧力が加えられる。金属刃(620)を有する装置を使用すると、これらの基板を分離することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板をエッチングする方法であって、 第1シリコン基板(200)を犠牲シリコン基板(240、241)へ接合するステップと、 第1シリコン基板(200)を犠牲シリコン基板(240、241)内へエッチングするステップと、および 第1シリコン基板(200)が犠牲シリコン基板(240、241)から分離することを引き起こすために第1シリコン基板(200)と犠牲シリコン基板(240、241)との界面に圧力を加えるステップと、を含む方法。
IPC (3件)：
B81C 1/00 ,  H01L 21/306 ,  B41J 2/16
FI (3件)：
B81C1/00 ,  H01L21/302 105A ,  B41J3/04 103H
Fターム (31件)：
2C057AF23 ,  2C057AF93 ,  2C057AG05 ,  2C057AG39 ,  2C057AG44 ,  2C057AG52 ,  2C057AG55 ,  2C057AP22 ,  2C057AP26 ,  2C057AP32 ,  2C057AP34 ,  2C057AP41 ,  2C057AP52 ,  2C057AP54 ,  2C057AP56 ,  2C057AQ02 ,  3C081BA45 ,  3C081BA55 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA19 ,  3C081DA02 ,  3C081DA42 ,  3C081EA35 ,  5F004AA02 ,  5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004EB04
引用特許：
審査官引用 (4件)
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