特許
J-GLOBAL ID:200903087203325707
ウェーハの結合方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
早川 政名 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-363031
公開番号(公開出願番号):特開2000-188245
出願日: 1998年12月21日
公開日(公表日): 2000年07月04日
要約:
【要約】【課題】 室温での密着を促進するために重ね合わせたウェーハに外力を加えてもその部分に歪みが発生しない結合方法を提供することにある。【解決手段】 2枚のウェーハを室温で貼り合わせる方法であって、重ね合わせた後、ボンドウェーハの結合面とは反対側の面に気体により圧力を加えて常温でのファンデルワールス力による結合を促進させる。
請求項(抜粋):
少なくとも片面が鏡面仕上げされた2枚のウェーハを、その鏡面同士を対向させて重ね合わせ、重ねたウェーハの結合面とは反対側の面に気体による圧力を加えて結合することを特徴とするウェーハの結合方法。
引用特許:
審査官引用 (7件)
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基板の貼り合わせ方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-068464
出願人:ソニー株式会社
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シリコン基板の接合方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-040398
出願人:キヤノン株式会社
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接着装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-229471
出願人:キヤノン株式会社
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ウエーハの結合方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-227210
出願人:信越半導体株式会社
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半導体ウェーハの貼合わせ方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-102244
出願人:三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
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半導体素子形成用基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-091578
出願人:信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社
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特開平4-233715
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