特許
J-GLOBAL ID:200903015583267436

磁気検出センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-033890
公開番号(公開出願番号):特開2004-247408
出願日: 2003年02月12日
公開日(公表日): 2004年09月02日
要約:
【課題】感磁素子(例えば、MRセンサ)を外的衝撃から保護する。【解決手段】基板10上に感磁素子11が形成されてなる磁気検出センサ1において、最外表面に硬質皮膜14が形成され、硬質皮膜14の下部に、硬質皮膜14による応力を緩和する有機膜13が形成され、有機膜13と感磁素子11の間に、有機膜13による応力を緩和する無機膜12が形成されてなる。また、有機膜13と硬質皮膜14との間に、炭素と結合力の強い元素からなる中間膜が形成されていても良い。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に感磁素子が形成されてなる磁気検出センサにおいて、 最外表面に硬質皮膜が形成され、 上記硬質皮膜の下部に、有機膜が形成され、 上記有機膜と上記感磁素子の間に、無機膜が形成されてなることを特徴とする磁気検出センサ。
IPC (6件):
H01L43/08 ,  G01D5/245 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10
FI (6件):
H01L43/08 H ,  G01D5/245 R ,  G11B5/39 ,  H01L43/02 Z ,  H01L43/10 ,  G01R33/06 R
Fターム (11件):
2F077AA42 ,  2F077CC02 ,  2F077NN24 ,  2F077PP14 ,  2F077VV09 ,  2F077VV11 ,  2F077VV33 ,  2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD65 ,  5D034BA17
引用特許:
審査官引用 (5件)
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