特許
J-GLOBAL ID：200903015607025196

半導体集積装置及びその製造方法

発明者：
岡田 吉弘

岡田 吉弘 について

, 
大郷 尚彦

大郷 尚彦 について

, 
佐々木 薫

佐々木 薫 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-334585
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172249
出願日： 2002年11月19日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】素子の特性を損なうことなく、より簡易に形成することができる内部配線を有する半導体集積装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】固体撮像素子の転送部の少なくとも一部を遮光する遮光膜418と、遮光膜418と同一層に形成され、一端がパッド電極322に接続されると共に、他端が半導体基板300の側辺まで延在する第1の配線407と、半導体基板300の側面を迂回して配置され、第1の配線407と接続される第2の配線414と、固体撮像素子を封止する封止部材324とを備える半導体集積装置によって上記課題を解決できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光を受けて情報電荷を発生する受光部及び前記受光部に蓄積した情報電荷を転送する転送部を半導体基板に有し、前記半導体基板の一辺に沿って配置されるパッド電極を介して電圧が供給される固体撮像素子と、 前記半導体基板に形成され、前記転送部の少なくとも一部を遮光する遮光膜と、 前記遮光膜と同一層に形成され、一端が前記パッド電極に接続されると共に、他端が前記半導体基板の側辺まで延在する第1の配線と、 前記半導体基板の側面を迂回して配置され、前記第1の配線と接続される第2の配線と、 前記固体撮像素子を封止する封止部材と、を備えたことを特徴とする半導体集積装置。
IPC (3件)：
H01L27/14 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/148
FI (3件)：
H01L27/14 D ,  H01L27/14 B ,  H01L21/88 Z
Fターム (33件)：
4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118BA13 ,  4M118CA08 ,  4M118CB14 ,  4M118DA03 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA40 ,  4M118GB11 ,  4M118HA20 ,  4M118HA24 ,  4M118HA26 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033MM00 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033VV04 ,  5F033WW02 ,  5F033XX32 ,  5F033XX33
引用特許：
審査官引用 (4件)
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