特許

J-GLOBAL ID：200903015634078439

シリカ系被膜、シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の製造方法及び電子部品

発明者： 榎本 和宏 ,  桜井 治彰 ,  野部 茂 ,  阿部 浩一
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257112
公開番号（公開出願番号）：特開2003-064306
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】 弾性率が2.5GPa以上、臨界表面張力が25×10-3N/m以上であるシリカ系被膜。【解決手段】 機械強度が十分であり、低誘電性に優れ、シリコンウエハー及びP-TEOS等のSiO2膜の両方への接着性に優れたシリカ系被膜を提供する。

請求項（抜粋）：

弾性率が2.5GPa以上、臨界表面張力が25×10-3N/m以上であるシリカ系被膜。

IPC (5件)：

C09D183/04 ,  C01B 33/12 ,  C09D183/02 ,  H01L 21/312 ,  B05D 7/24 302

FI (5件)：

C09D183/04 ,  C01B 33/12 C ,  C09D183/02 ,  H01L 21/312 C ,  B05D 7/24 302 Y

Fターム (44件)：

4D075BB24Y ,  4D075BB28Z ,  4D075BB93Z ,  4D075CA02 ,  4D075CA03 ,  4D075CA13 ,  4D075CA18 ,  4D075CA23 ,  4D075CA36 ,  4D075DA06 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EA07 ,  4D075EB22 ,  4D075EB35 ,  4D075EB37 ,  4D075EB43 ,  4D075EB47 ,  4D075EB56 ,  4D075EC07 ,  4D075EC30 ,  4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH28 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ45 ,  4G072LL11 ,  4G072LL13 ,  4G072LL15 ,  4G072MM01 ,  4G072MM36 ,  4G072RR05 ,  4G072TT19 ,  4J038DL061 ,  4J038DL071 ,  4J038DL081 ,  5F058AA08 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリカ系絶縁膜形成用塗布液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-161559   出願人：住友化学工業株式会社
• 極低誘電率化学調剤用のイオン系添加物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-106073   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド, エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-363513   出願人：ジェイエスアール株式会社