特許
J-GLOBAL ID：200903015648352215

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
篠原 裕直

篠原 裕直 について

, 
村木 典孝

村木 典孝 について

, 
大澤 弘

大澤 弘 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-360291
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103891
出願日： 2005年12月14日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】光取り出し効率に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板11上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる、n型半導体層13、発光層14およびp型半導体層15がこの順序で積層され、p型半導体層15上に透光性正極16が積層されるとともに該透光性正極上16に正極ボンディングパッド17が設けられ、n型半導体層13上に負極ボンディングパッド18が設けられた発光素子において、p型半導体層15の表面15aの少なくとも一部に無秩序な凹凸面が形成されてなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる、n型半導体層、発光層およびp型半導体層がこの順序で積層され、p型半導体層上に透光性正極が積層されるとともに該透光性正極上に正極ボンディングパッドが設けられ、n型半導体層上に負極ボンディングパッドが設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、 前記p型半導体層表面の少なくとも一部に無秩序な凹凸面が形成されてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (13件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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