特許

J-GLOBAL ID：200903015665603337

半田接合方法及び回路基板並びにその回路基板を用いた電子装置

発明者： 清水 浩三 ,  赤松 俊也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127244
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330678
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 絶縁抵抗の低下を防止し、またα線によるソフトエラーを防止することができる半田接合方法及び回路基板並びにその回路基板を用いた電子装置を提供する。【解決手段】 Biを含むSn又はSbを含むSnより成る予備半田層30が上面に形成された第1の電極28と、Agを含むSnより成る半田バンプ18が上面に形成された第2の電極16とを半田接合する。

請求項（抜粋）：

Biを含むSn又はSbを含むSnより成る予備半田層が上面に形成された第1の電極と、Agを含むSnより成る半田バンプが上面に形成された第2の電極とを半田接合することを特徴とする半田接合方法。

IPC (6件)：

H05K 3/34 501 ,  H05K 3/34 ,  H05K 3/34 505 ,  B23K 35/26 310 ,  H01L 21/60 ,  H05K 3/36

FI (6件)：

H05K 3/34 501 F ,  H05K 3/34 501 D ,  H05K 3/34 505 A ,  B23K 35/26 310 A ,  H05K 3/36 B ,  H01L 21/92 603 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 鉛フリーはんだとそれを用いた実装方法及び実装品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-241291   出願人：株式会社日立製作所
• はんだ材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-018048   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置、回路基板及び電子回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-062209   出願人：富士通株式会社