特許

J-GLOBAL ID：200903015693844579

III 族窒化物半導体素子およびその製造方法

発明者： 大井 明彦 ,  松井 俊之 ,  鈴木 健 ,  松山 秀昭 ,  上條 洋
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-120240
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303510
出願日： 1997年04月23日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】基板や異なるAlx Gay In1-X-Y N の組成変化に起因する応力が小さくクラックが発生しないIII 族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1s上にAlN または低温成長されたGaN からなるバッファ層2 およびGaN からなるコンタクト層3 が積層され、その上に少なくともAlx GayIn1-X-Y N (0≦x,y かつ 0≦x+y ≦1)で表されるIII 族窒化物からなる層 4〜7が成膜されてなるIII 族窒化物半導体素子において、バッファ層とコンタクト層との間に、前記基板温度が上昇されながら成膜されたIII 族窒化物からなる熱応力緩和層T を介在させる。または、コンタクト層とIII 族窒化物からなる層の間に、Alx1Gay1In1-X1-Y1N (0 ≦x1,y1 、かつx1≦x 、y1≦y)である格子不整合緩和層を介在させる。こととする。または基板をゲルマニウム単結晶とする。

請求項（抜粋）：

基板上にAlN または低温成長されたGaN からなるバッファ層、およびGaN からなるコンタクト層が積層され、その上に少なくともAlx Gay In1-X-Y N (0≦x,y かつ 0≦x+y ≦1)で表されるIII 族窒化物からなる層が成膜されてなるIII 族窒化物半導体素子において、前記バッファ層と前記コンタクト層との間に、前記基板温度が上昇されながら成膜されたAlx Gay In1-X-Y N (0≦x,yかつ 0≦x+y ≦1)で表されるIII 族窒化物からなる熱応力緩和層が介在していることを特徴とするIII 族窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物系半導体を用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-213410   出願人：株式会社東芝
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305257   出願人：旭化成工業株式会社
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-146101   出願人：富士通株式会社