特許
J-GLOBAL ID：200903015698576629
窒化物半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-238463
公開番号（公開出願番号）：特開2004-336080
出願日： 2004年08月18日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】発光効率の高い発光出力の良好な、発光ピーク波長が380nm以下の紫外領域に発光する窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】サファイア基板41上、あるいは、前記サファイア基板上に形成されたバッファ層上に成長された第1の窒化物半導体層42と、第1の窒化物半導体層上に窒化物半導体の横方向成長を用いて形成された第2の窒化物半導体層43と、第2の窒化物半導体層上に窒化物半導体からなる複数の層が積層成長され、発光ピーク波長が380nm以下となる活性層を含む素子構造とを具備する窒化物半導体素子において、サファイア基板は、C面、R面、およびA面のいずれかを主面とし、第1の窒化物半導体層は、ストライプ状に凹凸が形成されており、ストライプの方向はサファイア主面以外の他の一面の垂直方向に対してサファイア主面内で0.1°〜1°の範囲内でずれた方向に形成されている。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上、あるいは、前記異種基板上に形成されたバッファ層上に成長された第1の窒化物半導体層と、
前記第1の窒化物半導体層上に窒化物半導体の横方向成長を用いて形成された第2の窒化物半導体層と、
前記第2の窒化物半導体層上に窒化物半導体からなる複数の層が積層成長され、発光ピーク波長が380nm以下となる活性層を含む素子構造と、
を具備し、前記異種基板は、C面、R面、およびA面のいずれかを主面とするサファイアであり、前記第1の窒化物半導体層は、ストライプ状に凹凸が形成されており、当該ストライプの方向は前記サファイアの前記主面以外の他の一面の垂直方向に対して前記サファイアの主面内で0.1°〜1°の範囲内でずれた方向に形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA14
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F041CB36
