ヒータ内蔵型セラミックセンサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-280239
公開番号（公開出願番号）：特開平10-104184
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】ヒータ内蔵部近傍においてセラミック基板の表面を平滑に形成することにより、その熱応力等に対する耐久性を高めたセラミックセンサを提供する。【解決手段】セラミックセンサ50は、セラミック基板36の板面に、酸化物半導体により構成された検出素子部41が一体形成されるとともに、該セラミック基板36中にその検出素子部41を加熱するためのヒータ38を内蔵した構造を有し、かつそのセラミック基板36が、少なくともその側面36cの表面粗度が30μmRmax以下とされる。なお、検出素子部41とセラミック基板36との接合面には、多数のセラミック小粒状物21が分散固定されるとともに、セラミック基板36の板面のうち、上記側面36c側の縁を含む所定幅wの部分に、そのセラミック小粒状物21が固定されていない領域が形成される。

請求項（抜粋）：

セラミック基板の板面に、酸化物半導体により構成された検出素子部が一体形成されるとともに、該セラミック基板中にその検出素子部を加熱するためのヒータを内蔵した構造を有し、前記セラミック基板は、少なくともその側面の、ヒータ内蔵部に対応する領域の表面粗度が25μmRmax以下とされたことを特徴とするヒータ内蔵型セラミックセンサ。

IPC (3件)：

G01N 27/04 , G01N 27/12 , H05B 3/20 309

FI (3件)：

G01N 27/04 F , G01N 27/12 B , H05B 3/20 309

引用特許：

審査官引用 (6件)

ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-198003 出願人：大阪瓦斯株式会社, 株式会社東芝
オゾンセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-160311 出願人：松下電器産業株式会社
NOxガス検知素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-239175 出願人：株式会社豊田中央研究所

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