特許
J-GLOBAL ID：200903015721400088
デバイス製造処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-041228
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220986
出願日： 2006年02月17日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】デバイス生産の歩留まりを向上させること【解決手段】ウエハW上に転写されるデバイスパターンDPは、パターンP1、P2に分割され、それぞれが別々のマスクに形成されている。露光装置では、パターンP1に相当する複数の異なるマスク(OPCマスク又は位相シフトマスク)が用意されており、レチクルのパターンの測定検査結果やウエハのパターンの測定検査結果などに応じて、デバイスパターンを精度良く転写することが可能なレチクルを選択する。そして、選択した、複数のレチクル各々のパターンを、同時に、ウエハ上に転写する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に転写されるデバイスパターンの一部を分割することにより得られる複数の分割パターンのうちの1つに相当する複数の異なる部品パターンのいずれかが形成された複数のマスクを用意する準備工程と;
前記各マスクを用いた場合、または、前記各マスクを複数同時に使用した場合の前記基板上へのデバイスパターンの転写状態に関する情報を前記マスク毎に、または、前記複数のマスクの組み合わせ毎に取得する取得工程と;
前記取得された情報に基づいて、前記用意された複数のマスクの中から、前記デバイスパターンの転写に実際に用いるマスクを選択する選択工程と;を含むデバイス製造処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 514A
, G03F7/20 521
5F046AA13
, 5F046AA18
, 5F046BA05
出願人引用 (5件)
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投影露光方法及び投影露光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-027206
出願人：株式会社ニコン
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特許第3128876号公報
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露光方法及び露光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-114725
出願人：キヤノン株式会社
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審査官引用 (3件)
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