特許

J-GLOBAL ID：200903015723465560

プラズマ処理方法及び基体の処理方法

発明者： 鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-349026
公開番号（公開出願番号）：特開平11-319545
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 1999年11月24日
要約：

【要約】【課題】 排気時間等を短縮し、処理全体の高速化が可能な、CVD、エッチング、アッシング等の基体の処理方法(プラズマ処理方法)を提供する。【解決手段】 ベンチレーション用ガスとしてプラズマ処理用ガスの少なくとも一成分(O2、N2、CF4等)を含むガスを用い、ベンチレーション用ガスを排気してプラズマ処理圧力にした時点で、その圧力が保持されるようにプラズマ処理用ガスを導入し、プラズマ処理を開始する基体の処理方法(プラズマ処理方法)。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理室内にベンチレーション用ガスを導入し排気した後にプラズマ処理を行なう方法において、該ベンチレーション用ガスとしてプラズマ処理用ガスの少なくとも一成分を含むガスを該プラズマ処理室内に導入する工程と、該プラズマ処理室内に被処理基体を設置する工程と、該ベンチレーション用ガスを排気して該プラズマ処理室内の圧力を所定圧力範囲内にする工程と、該圧力が保持されるようにプラズマ処理用ガスを導入する工程と、該プラズマ処理室内でプラズマ処理を開始する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (8件)：

B01J 19/08 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (8件)：

B01J 19/08 E ,  C23C 16/50 E ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055472   出願人：ソニー株式会社
• 液体原料気化供給装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-087240   出願人：キヤノン株式会社
• プラズマ処理装置及びその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-328147   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-146537   出願人：株式会社シー・ヴイ・リサーチ