特許
J-GLOBAL ID：200903015751165059
レティクル設計パターン内の欠陥を検出するための方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-209540
公開番号（公開出願番号）：特開2007-041600
出願日： 2006年08月01日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】シングル・ダイ又はマルチ-ダイ・レティクルにおけるパターンの異常を突きとめ、設計データベース内の誤りの結果としてもたらされるレティクル設計誤りを検出する効果的な検査テクニックを提供する【解決手段】1つの方法は、レティクル設計パターン内のフィールドの像を獲得することを含む。この像は、ウェハ・プリント・プロセスの1ないしは複数のパラメータの異なる値でフィールドがどのようにウェハ上にプリントされるかを明らかにする。フィールドは第1のダイと第2のダイを含む。本方法は異なる値のうちの2又はそれを超える数の値に対応する像のうちの2又はそれを超える数の像の比較に基づいて、フィールド内の欠陥を検出する。加えて本方法は、第1のダイ内で突きとめられた個別の欠陥が、第2のダイ内において突きとめられた個別の欠陥と実質的に同一のダイ内ポジションを有しているか否かを決定することも含む。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
レティクル設計パターン内の欠陥を検出する、コンピュータにより具体化される方法であって、
前記レティクル設計パターン内のフィールドの像を獲得するステップであって、前記像が、ウェハ・プリント・プロセスの1ないしは複数のパラメータの異なる値において前記フィールドがどのようにウェハ上にプリントされるかを明らかにし、前記フィールドが第1のダイと第2のダイを含む、前記獲得するステップと、
前記異なる値のうちの2又はそれを超える数の値に対応する、前記像のうちの2又はそれを超える数の像の比較に基づいて前記フィールド内の欠陥を検出するステップと、
前記第1のダイ内において突きとめられる個別の欠陥が、前記第2のダイ内において突きとめられる個別の欠陥と実質的に同一のダイ内ポジションを有しているか否かを決定するステップと、
を含む方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F1/08 A
, G03F1/08 S
, G01N21/956 A
2G051AA56
, 2G051AB02
, 2G051BA08
, 2G051BB07
, 2G051BB09
, 2G051CA04
, 2G051CA07
, 2G051CB02
, 2G051EA08
, 2G051EB09
, 2H095BA01
, 2H095BB02
, 2H095BB36
, 2H095BC09
, 2H095BD03
, 2H095BD04
, 2H095BD15
, 2H095BD23
, 2H095BD25
, 2H095BD27
