特許
J-GLOBAL ID：200903015776851950

半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
中嶋 節男

中嶋 節男 について

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桑原 秀明

桑原 秀明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251675
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156504
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、再現性が高くTFTの安定性を向上し、生産性の高いLDD構造を備えた半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。【解決手段】 上記目的を解決するため、本発明は、回路構成の必要に応じて適宜第2のマスクのマスク設計を決定することにより、TFTのチャネル形成領域の両側または片側に、所望のLDD領域を形成することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上にゲート配線と、前記ゲート配線に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート配線上に前記ゲート絶縁膜を介して設けられたチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接する低濃度不純物領域と、前記低濃度不純物領域に接する高濃度不純物領域と、前記チャネル形成領域に接する保護膜と、前記保護膜に接して3価または5価の不純物が添加された有機樹脂とを有していることを特徴とする半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G09F 9/33
FI (5件)：
H01L 29/78 616 A ,  G09F 9/33 K ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (22件)：
5C094AA13 ,  5C094AA25 ,  5C094AA37 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094FA01 ,  5C094FB01 ,  5C094FB14 ,  5C094FB16 ,  5C094GB00 ,  5C094HA08 ,  5C094JA20
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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