特許
J-GLOBAL ID：200903015805128499

ビアホール形成方法

発明者：
西川 雅也

西川 雅也 について


出願人/特許権者：
イビデン株式会社

イビデン株式会社 について


代理人 (1件)： 後呂 和男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286629
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100866
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】メッキ金属を充填する際にメッキ高さのばらつきを低減することのできるビアホール形成方法を提供することにある。【解決手段】ビアホール7形成後に、ビアホール7内に残留するガラス繊維糸2を除去するためのガラス除去処理を行う。これにより、ビアホール7の内壁を略垂直に形成することができる。このため、ビアホール7内のメッキ液の流れを良好にすることができ、メッキ金属8を均一に成長させることができる。また、ビアホール7の形状が均一化され、メッキ高さLのばらつきを低減することができる。また、フッ化物を用いてガラス除去処理を行えば、フッ化物のガラスを溶解するという性質によって、ビアホール7内に残留するガラス繊維糸2を良好に除去することができるとともに、ガラス除去処理を低コストで簡便に行うことができる。
請求項（抜粋）：
ガラス布に樹脂を含浸させてなる絶縁性基板にレーザ照射を行ってビアホールを形成するビアホール形成方法であって、レーザ照射後に前記ビアホール内に残留するガラス繊維を除去するガラス除去処理を行うことを特徴とするビアホール形成方法。
IPC (3件)：
H05K 3/42 610 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46
FI (4件)：
H05K 3/42 610 A ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/46 X ,  H05K 3/46 N
Fターム (21件)：
5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB11 ,  5E317CC25 ,  5E317CC31 ,  5E317CD01 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG01 ,  5E317GG16 ,  5E346AA02 ,  5E346AA05 ,  5E346AA43 ,  5E346CC04 ,  5E346CC09 ,  5E346CC32 ,  5E346DD12 ,  5E346DD32 ,  5E346FF14 ,  5E346GG15 ,  5E346HH31
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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