特許

J-GLOBAL ID：200903015854789174

半導体BCN化合物を用いた半導体デバイス

発明者： 渡辺 美代子 ,  水島 公一 ,  伊藤 聡 ,  真下 正夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-020470
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283797
出願日： 1997年02月03日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 発光波長を自由に設定することができ、高い発光効率を示す発光素子を提供する。【解決手段】 pn接合をなすp型半導体BCN化合物(15)およびn型半導体BCN化合物(14)からなる発光層と、これらの発光層(15、14)の外側にそれぞれ形成されたp型半導体BCN化合物(16)およびn型半導体BCN化合物(13)からなるキャリヤ注入層とを有する半導体発光ダイオード。

請求項（抜粋）：

半導体BCN化合物層と、金属性BCN化合物層および/または絶縁性BCN化合物層と有し、これらの層が積層された構造を有することを特徴とする半導体デバイス。

IPC (10件)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 31/04 ,  H01S 3/18

FI (7件)：

H01L 33/00 A ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/14 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 H ,  H01L 31/04 E

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 特開平4-084486
  
• 特開平4-333291
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-291425   出願人：財団法人地球環境産業技術研究機構, 住友電気工業株式会社
• 特開平3-055886
  
• 多結晶性BCN物質及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-268859   出願人：工業技術院長, セントラル硝子株式会社, 旭化成工業株式会社
• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-024190   出願人：株式会社東芝
• 薄膜作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-220721   出願人：株式会社東芝