特許
J-GLOBAL ID：200903048643094205
GaN系素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-357038
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190061
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 n型の半導体層を表出させるためのエッチング工程を必要とせず、n電極とp電極とで素子構造を挟むことができる新規なGaN系素子を提供する。【解決手段】 導電性の基板と、この導電性の基板の上に成膜時には単結晶とならないバッファ層を形成し、このバッファ層の上にGaN系の化合物半導体からなる素子構造を形成する。
請求項（抜粋）：
導電性の基板と、該基板の上に形成され、その成膜時に単結晶でないバッファ層と、該バッファ層の上に成長されるGaN系化合物半導体からなる構造と、を備えてなるGaN系素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
