特許
J-GLOBAL ID：200903015911003069
セラミックス回転カソードターゲット及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250544
公開番号（公開出願番号）：特開平5-214526
出願日： 1992年08月26日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：
【要約】【構成】円筒状ターゲットホルダーの外表面にセラミックス層と前記ターゲットホルダーとの密着性を向上するアンダーコートを形成した後、Zr,Ti,Ta,Hf,Mo,W,Nb,Sn,La,In,Cr 等(以下金属Mという)と、Siとを主成分とし、金属Mの総量とSiとを原子比で4:96〜35:65 の割合で有するセラミックス粉末をプラズマ溶射して、ターゲットとなるセラミックス層を形成する。【効果】低屈折率で優れた耐久性を有する酸化物透明薄膜を、大面積基板に低温高速成膜でき、また、使用効率の高い回転カソードターゲットを得る。
請求項（抜粋）：
円筒状ターゲットホルダーの外表面を荒し、その上に、後で形成するセラミックス層と前記ターゲットホルダーとの中間の熱膨張係数を有する金属又は合金からなる層と、前記セラミックス層に近似した熱膨張係数を有する金属又は合金からなる層のうち少なくとも1層をアンダーコートとして形成し、次いで、セラミックス粉末を高温ガス中で半溶融状態にしつつこのガスにより前記アンダーコート上に輸送して付着させ、スパッタすべきターゲットとなるセラミックス層を形成するセラミックス回転カソードターゲットの製造方法であって、前記セラミックス粉末は、Zr,Ti,Ta,Hf,Mo,W,Nb,Sn,La,In,Cr のうち少なくとも1種(以下金属Mという)と、Siとを主成分とし、金属Mの総量とSiとを原子比で4:96〜35:65 の割合で有する粉末であることを特徴とするセラミックス回転カソードターゲットの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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