特許

J-GLOBAL ID：200903015973466820

多重パターン構造を有する半導体発光素子

発明者： 李 庭 旭 ,  林 填 緒 ,  ボッキ ミン ,  白 光 鉉 ,  田 憲 秀
出願人/特許権者： 三星電機株式会社 ,  財団法人ソウル大学校産学協力財団
代理人 (6件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-121093
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311784
出願日： 2007年05月01日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】多重パターン構造を有する半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板31及び基板上に形成された半導体層、活性層及び電極層を備える半導体発光素子において、基板と半導体層との間に凹凸構造で形成された第1パターン32と、第1パターンの凹凸構造上に形成された凹凸構造の第2パターン33と、を備える多重パターン構造を有する半導体発光素子である。これにより、光抽出効率を大きく改善できる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板及び前記基板上に形成された半導体層、活性層及び電極層を備える半導体発光素子において、 前記基板と前記半導体層との間に凹凸構造で形成された第1パターンと、 前記第1パターンの凹凸構造上に形成された凹凸構造の第2パターンと、 を備えることを特徴とする多重パターン構造を有する半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S5/323 ,  H01L33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA11 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F173AA29 ,  5F173AH40 ,  5F173AH48 ,  5F173AP33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-218384   出願人：京セラ株式会社
• 半導体基材及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-068067   出願人：三菱電線工業株式会社
• 基板表面処理方法及びIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-283902   出願人：豊田合成株式会社