特許
J-GLOBAL ID：200903041603330289

単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子

発明者：
渡辺 健一

渡辺 健一 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-218384
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064492
出願日： 2004年07月27日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】サファイア基板の主面に効率良く量産に適した方法でストライプ状の溝または凹凸を作製した半導体発光素子用サファイア基板およびその製造方法を提供する【解決手段】SiO2を主成分とする保護膜をマスクとして、熱リン酸等でウェットエッチングすることにより、エッチピットを有する凹凸を備えた単結晶サファイア基板を作製する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
主面上に複数の凹凸を有し、該凹凸の少なくとも底面または側面に複数のエッチピットを有することを特徴とする単結晶サファイア基板。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  C30B29/20 ,  C30B33/10
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  C30B29/20 ,  C30B33/10
Fターム (16件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BB01 ,  4G077CF10 ,  4G077FG06 ,  4G077FG18 ,  4G077GA02 ,  4G077HA12 ,  5F041AA03 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (10件)
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