特許
J-GLOBAL ID：200903015978439015

半導体レーザモジュールの駆動方法

発明者：
飯田 薫

飯田 薫 について

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岡田 貴弘

岡田 貴弘 について

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古関 敬

古関 敬 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-390420
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198040
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 サーモモジュールの加熱方向に過剰なサーモモジュール電流が流れることを防止し、その過剰なサーモモジュール電流に起因する問題の発生を回避することができる半導体レーザモジュールの駆動方法を提供する。【解決手段】 半導体レーザ素子2の温度T(サーミスタ指示温度Ts )に基づき、半導体レーザ素子2が所望の温度となるようにサーモモジュール5に通電されるサーモモジュール電流Itec を調整する際、半導体レーザ素子2の駆動電流Iopと半導体レーザモジュール1の環境温度Tc に基づき、半導体レーザ素子2が所定の上限温度T(max)になる場合のサーモモジュール電流の加熱方向の最大許容電流値Itec (max)を演算し、サーモモジュール電流Itec の大きさを最大許容電流値Itec (max)以下に制限する。このため、半導体レーザ素子2の温度Tが設定された上限温度T(max)を超えることが防止される。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子が、前記半導体レーザ素子の温度を制御するサーモモジュール上に熱溶融接続材料を用いて固定設置されている、半導体レーザモジュールを駆動する方法において、前記半導体レーザ素子の駆動電流及び前記半導体レーザモジュールの環境温度に基づき、前記半導体レーザ素子の温度が所定の上限温度になる場合の前記サーモモジュールに通電される加熱方向のサーモモジュール電流を最大許容電流値として求めるステップと、前記加熱方向のサーモモジュール電流を前記最大許容電流値以下に制限するステップと、を有することを特徴とする半導体レーザモジュールの駆動方法。
IPC (7件)：
H01S 5/024 ,  F25B 21/02 ,  H01L 23/373 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/28 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/042 630
FI (7件)：
H01S 5/024 ,  F25B 21/02 F ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/28 C ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/042 630 ,  H01L 23/36 M
Fターム (10件)：
5F036AA01 ,  5F036BB21 ,  5F073AB21 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073EA27 ,  5F073FA06 ,  5F073FA25 ,  5F073GA23 ,  5F073GA31
引用特許：
出願人引用 (4件)
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