特許
J-GLOBAL ID：200903024419952046
半導体レ-ザモジュ-ルおよび半導体レ-ザモジュ-ルの駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-310992
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216474
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 サーモモジュールへの過電流通電を抑制する。【解決手段】 サーモモジュール5はリードピン16fからリードピン16aに向かう方向の電流が通電する際には加熱動作を行い、反対に、リードピン16aからリードピン16fに向かう方向の電流が通電する際には冷却動作を行う。サーモモジュール5への加熱方向の過電流通電を抑制する過電流制限手段20を設ける。過電流制限回路20はバイパス通路21と抵抗体22とダイオード23を有する。加熱方向の電流が通電するときには、ダイオード23が導通オン状態となり、電流はサーモモジュール5とバイパス通路21とに分流して流れる。これにより、サーモモジュール5への過電流通電を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の温度を調整するサーモモジュールと、上記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光と光学的に結合される光ファイバとを有する半導体レーザモジュールにおいて、上記サーモモジュールは該サーモモジュールに通電する電流量に応じて半導体レーザ素子の温度を可変調整する構成と成し、上記サーモモジュールに過電流が流れるのを抑制する過電流制限手段を設けたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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