特許

J-GLOBAL ID：200903015988366024

カーボンナノチューブの製造用基板及びそれを用いたカーボンナノチューブの製造方法

発明者： 川端 章夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (5件)： 石田 敬 ,  吉田 維夫 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-211479
公開番号（公開出願番号）：特開2004-051432
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】プラズマなどのダメージから触媒金属を保護し、触媒金属の凝集を抑制するとともに、プラズマを用いたエッチングで触媒金属を微細な状態で露出させ、その露出された微細な触媒金属を核としてカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブ製造用基板と、このような基板を用いたカーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】触媒金属を支持するための基材、前記基材上の触媒金属、及び、前記触媒金属上に設けられ、ドライエッチングすることが可能な触媒金属保護層を有するカーボンナノチューブ製造用基板。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

触媒金属を支持するための基材、前記基材上の触媒金属、及び、前記触媒金属上に設けられ、ドライエッチングすることが可能な触媒金属保護層を有するカーボンナノチューブ製造用基板。

IPC (2件)：

C01B31/02 ,  B82B3/00

FI (2件)：

C01B31/02 101F ,  B82B3/00

Fターム (5件)：

4G146AA11 ,  4G146AA30 ,  4G146BA12 ,  4G146BC08 ,  4G146BC43

引用特許：

審査官引用 (3件)

• カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-218578   出願人：エルジー電子株式会社
• 炭素質ファイバーの作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-028087   出願人：科学技術振興事業団, 松下電器産業株式会社
• 電界電子放出素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-066552   出願人：株式会社東芝