特許

J-GLOBAL ID：200903016046817507

CMIS型集積回路装置及びその製造方法

発明者： 北 明夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-326988
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186180
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 高速動作と低消費電力を同時に達成する。【構成】 アクティブモード時には、制御信号SLPを“L”にしておけば、PMOS3がオンし、NMOS1及びPMOS2からなるCMOSインバータで構成された論理回路が、入力信号INを入力して通常の論理動作を行う。入力信号INが“H”の時、スタンバイモードになるように制御信号SLPを“H”にすると、PMOS3がオフし、NMOS1及びPMOS2からなる論理回路への電流経路が遮断される。

請求項（抜粋）：

第1の電源電位に接続された第1導電チャネル型の第1のMISFETと該第1のMISFETに接続された第2導電チャネル型の第2のMISFETとからなるCMISFET で構成された論理回路と、第2の電源電位と前記第2のMISFETとの間に接続され、該第2のMISFETよりも閾値電圧の絶対値の大きな第2導電チャネル型の第3のMISFETとを、備えたことを特徴とするCMIS型集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03K 19/0948 ,  H03K 19/173 101 ,  H03K 19/20

FI (3件)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/08 321 L ,  H03K 19/094 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-324856   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平2-159818
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-075913   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-350966
  
• 3重ウェル構造を有する半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-035615   出願人：三星電子株式会社
• 特開平2-264464