特許
J-GLOBAL ID:200903016046817507

CMIS型集積回路装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柿本 恭成
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-326988
公開番号(公開出願番号):特開平8-186180
出願日: 1994年12月28日
公開日(公表日): 1996年07月16日
要約:
【要約】【目的】 高速動作と低消費電力を同時に達成する。【構成】 アクティブモード時には、制御信号SLPを“L”にしておけば、PMOS3がオンし、NMOS1及びPMOS2からなるCMOSインバータで構成された論理回路が、入力信号INを入力して通常の論理動作を行う。入力信号INが“H”の時、スタンバイモードになるように制御信号SLPを“H”にすると、PMOS3がオフし、NMOS1及びPMOS2からなる論理回路への電流経路が遮断される。
請求項(抜粋):
第1の電源電位に接続された第1導電チャネル型の第1のMISFETと該第1のMISFETに接続された第2導電チャネル型の第2のMISFETとからなるCMISFET で構成された論理回路と、第2の電源電位と前記第2のMISFETとの間に接続され、該第2のMISFETよりも閾値電圧の絶対値の大きな第2導電チャネル型の第3のMISFETとを、備えたことを特徴とするCMIS型集積回路装置。
IPC (5件):
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03K 19/0948 ,  H03K 19/173 101 ,  H03K 19/20
FI (3件):
H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/08 321 L ,  H03K 19/094 B
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-324856   出願人:日本電信電話株式会社
  • 特開平2-159818
  • 半導体集積回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-075913   出願人:日本電気株式会社
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