特許
J-GLOBAL ID：200903016058997110

磁気ランダムアクセスメモリ及びその磁気ランダムアクセスメモリのデータ書き込み方法

発明者：
福住 嘉晃

福住 嘉晃 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-146441
公開番号（公開出願番号）：特開2005-327988
出願日： 2004年05月17日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：
【課題】書き込み電流の低減を図る。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第1の方向に延在されたビット線11と、第2の方向に延在されたワード線12と、ビット線及びワード線間に設けられた磁気抵抗素子10と、ビット線の上面及び両側面に設けられた第1のヨーク層21と、ワード線の下面及び両側面に設けられた第2のヨーク層22とを具備する。磁気抵抗素子は、無通電時に第1又は第2の方向を向く磁化容易軸を有する記録層32と、無通電時に第1の方向と平行に磁化が向く強磁性体で形成され、記録層に磁歪による第1の応力を与える第1の強磁性層30と、無通電時に第2の方向と平行に磁化が向く強磁性体で形成され、記録層に磁歪による第2の応力を与える第2の強磁性層38と、記録層と第1の強磁性層との間に設けられた第1の非磁性層31と、記録層の第2の強磁性層との間に設けられた第2の非磁性層33とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1の方向に延在された第1の書き込み配線と、 前記第1の方向と異なる第2の方向に延在された第2の書き込み配線と、 前記第1及び第2の書き込み配線間の前記第1及び第2の書き込み配線の交点に設けられた磁気抵抗素子と、 前記第1の書き込み配線の前記磁気抵抗素子と対向する面と反対側の面及び両側面に設けられ、磁性層で形成された第1のヨーク層と、 前記第2の書き込み配線の前記磁気抵抗素子と対向する面と反対側の面及び両側面に設けられ、磁性層で形成された第2のヨーク層と を具備する磁気ランダムアクセスメモリであって、 前記磁気抵抗素子は、 強磁性体で形成され、第1の面と第2の面とを備え、無通電時に前記第1又は第2の方向を向く磁化容易軸を有する記録層と、 前記記録層の前記第1の面側に設けられ、無通電時に前記第1の方向と平行に磁化が向く強磁性体で形成され、前記記録層に磁歪による第1の応力を与える第1の強磁性層と、 前記記録層の前記第2の面側に設けられ、無通電時に前記第2の方向と平行に磁化が向く強磁性体で形成され、前記記録層に磁歪による第2の応力を与える第2の強磁性層と、 前記記録層と前記第1の強磁性層との間に設けられた第1の非磁性層と、 前記記録層の前記第2の強磁性層との間に設けられた第2の非磁性層と を有することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4件)：
H01L27/105 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 Z
Fターム (14件)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16
引用特許：
出願人引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)

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