特許
J-GLOBAL ID：200903016088573020

金属層形成方法及び配線形成方法

発明者：
魏榮振

魏榮振 について

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朴仁善

朴仁善 について

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李相▲忍▼

李相▲忍▼ について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-198315
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063992
出願日： 1996年07月09日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】金属蒸着条件を最適化して超薄膜の金属層を形成する方法及びこれを用いて高いアスペクト比を有するコンタクトホールを埋め込むための金属配線形成方法を提供する。【解決手段】ウェーハの温度を-25°C〜常温の範囲となるように冷却した後に、金属層の蒸着工程を実行することにより、スパッタリングされた金属原子が下地膜に吸着しやすい程度を示す湿潤性を向上させ、核生成位置数の増加による単位体積当たり粒界エネルギーを増やす。これにより、蒸着された金属層の表面状態を改善して均一な超薄膜の金属膜が得られる。また、高いアスペクト比を有するコンタクトホールにおけるアルミニウムの充填特性が向上する。
請求項（抜粋）：
物理的気相蒸着方法により金属層を形成する方法において、相応のエネルギーを持って入射されて、ウェーハ上に物理的に吸着される原子により稠密な核を生成のために、ウェーハを冷却してウェーハの温度を低下させた中で、金属層を物理的気相蒸着法により形成することを特徴とする金属層形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L 21/285 P ,  H01L 21/90 C
引用特許：
審査官引用 (4件)
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