スパッタリング装置及びスパッタリング方法並びにスピンバルブ膜の成膜方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133937
公開番号（公開出願番号）：特開平11-328628
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】小型のターゲットを用いても、大口径のウエハに対して、膜厚分布のばらつきを少なく薄膜を形成することのできるスパッタリング装置及びスパッタリング方法並びにスピンバルブ膜の成膜方法を提供する。【解決手段】このスパッタリング装置は、内部に基板及びターゲットが対向配置されるチャンバと、スパッタガスの吹き出し口が複数形成されてなるスパッタガス導入管とを備え、上記スパッタガス導入管に形成された複数の吹き出し口からスパッタガスをチャンバ内に導入し、当該スパッタガスによってターゲットをスパッタして基板上に薄膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

内部に基板及びターゲットが対向配置されるチャンバと、スパッタガスの吹き出し口が複数形成されてなるスパッタガス導入管とを備え、上記スパッタガス導入管に形成された複数の吹き出し口からスパッタガスをチャンバ内に導入し、当該スパッタガスによってターゲットをスパッタして基板上に薄膜を成膜することを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (5件)：

G11B 5/39 , C23C 14/34 , H01F 41/18 , H01L 21/203 , H01L 43/12

FI (5件)：

G11B 5/39 , C23C 14/34 M , H01F 41/18 , H01L 21/203 S , H01L 43/12

引用特許：

審査官引用 (7件)

特公昭47-045649
特開平4-002771
スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-136406 出願人：東京エレクトロン株式会社

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