特許
J-GLOBAL ID：200903016170069853
半導体装置の製造方法と半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-251266
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095637
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】マッシュルームゲートを層間絶縁膜で覆い、かつ寄生容量の増大を抑制した半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、(a)活性領域を横断して、ファインゲートとオーバーゲートとを有するマッシュルームゲートを基板上に形成する工程と、(b)マッシュルームゲートを覆って第1の有機材料膜を基板上に塗布する工程と、(c)第1の有機材料膜をパターニングして、マッシュルームゲート近傍にのみ残す工程と、(d)残った第1の有機材料膜を覆って、化学的性質の異なる第2の有機材料膜を基板上に塗布する工程と、(e)第2の有機材料膜に開口を形成し、第1の有機材料膜を露出する工程と、(f)開口から第1の有機材料膜を溶解除去して第2の有機材料膜中に空洞を形成する工程と、を含む。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板の活性領域を横断して、ファインゲートと前記ファインゲート上で電流方向の寸法の拡大された電極部を構成するオーバーゲートとを有するマッシュルームゲートを半導体基板上に形成する工程と、
(b)前記マッシュルームゲートの少なくともファインゲートとオーバーゲート下面とを覆って第1の有機材料膜を半導体基板上に塗布する工程と、
(c)前記第1の有機材料膜をパターニングして、マッシュルームゲート近傍にのみ残す工程と、
(d)残った前記第1の有機材料膜を覆って、化学的性質の異なる第2の有機材料膜を半導体基板上に塗布する工程と、
(e)前記第2の有機材料膜に開口を形成し、前記第1の有機材料膜を露出する工程と、
(f)前記開口から前記第1の有機材料膜を溶解除去して前記第2の有機材料膜中に空洞を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/338
, H01L21/28
, H01L29/41
, H01L29/417
, H01L29/812
H01L29/80 Q
, H01L21/28 301B
, H01L29/44 S
, H01L29/50 J
, H01L29/80 F
4M104AA04
, 4M104AA05
, 4M104BB10
, 4M104BB14
, 4M104BB15
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD20
, 4M104DD37
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104DD68
, 4M104FF13
, 4M104FF22
, 4M104GG11
, 4M104HH18
, 5F102FA00
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GJ06
, 5F102GK05
, 5F102GL04
, 5F102GM05
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GR11
, 5F102GS04
, 5F102GV05
, 5F102GV08
, 5F102HC01
, 5F102HC10
, 5F102HC15
, 5F102HC19
, 5F102HC30
