特許
J-GLOBAL ID:200903016213479171
膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-215010
公開番号(公開出願番号):特開2003-027001
出願日: 2001年07月16日
公開日(公表日): 2003年01月29日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率、高弾性率の塗膜が得られ、かつワニスを長期保存しても異物の発生の少ない膜形成用組成物を得る。【整理番号】 9360【解決手段】 (A)アルコキシシランを金属キレート化合物および酸触媒もしくはいずれか一方と水の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、(B)アルコキシシランをアルカリ触媒と水の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、(C)有機溶剤ならびに(D)水を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物を金属キレート化合物および酸触媒もしくはいずれか一方と水の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、(B)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物をアルカリ触媒と水の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、(C)有機溶剤ならびに(D)水を含有することを特徴とする膜形成用組成物。Ra Si(OR2)4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R2は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR3)4 ・・・・・(2)(式中、R3は1価の有機基を示す。) R4b (R5O)3-b Si-(R8)d -Si(OR6)3-c R7c ・・(3)〔式中、R4〜R7は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R8は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕
IPC (8件):
C09D183/04
, B05D 7/24 302
, C08L 83/04
, C08L 83/08
, C09D183/02
, C09D183/14
, H01L 21/312
, H01L 21/316
FI (8件):
C09D183/04
, B05D 7/24 302 Y
, C08L 83/04
, C08L 83/08
, C09D183/02
, C09D183/14
, H01L 21/312 C
, H01L 21/316 G
Fターム (54件):
4D075BB26Z
, 4D075CA03
, 4D075CA23
, 4D075DA06
, 4D075DB14
, 4D075DC19
, 4D075DC22
, 4D075EA06
, 4D075EA07
, 4D075EB16
, 4D075EB33
, 4D075EB43
, 4D075EB47
, 4D075EB56
, 4D075EC01
, 4D075EC07
, 4D075EC08
, 4D075EC30
, 4D075EC54
, 4J002CP031
, 4J002CP032
, 4J002CP081
, 4J002GQ05
, 4J002HA07
, 4J038DL021
, 4J038DL022
, 4J038DL031
, 4J038DL032
, 4J038DL051
, 4J038DL052
, 4J038DL071
, 4J038DL072
, 4J038DL081
, 4J038DL082
, 4J038DL111
, 4J038HA156
, 4J038JA17
, 4J038JA26
, 4J038JA33
, 4J038JA34
, 4J038JA53
, 4J038JB13
, 4J038KA06
, 4J038NA17
, 4J038NA21
, 4J038NA26
, 4J038PA18
, 4J038PA19
, 4J038PB07
, 5F058AC03
, 5F058BC02
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ02
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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