特許
J-GLOBAL ID：200903009839573823
膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197301
公開番号（公開出願番号）：特開2001-019903
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の均一性、低誘電率、低リーク電流、CMP耐性、保存安定性などに優れた膜形成用組成物に関する。【解決手段】 (A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物を(B)下記一般式(3)で表される溶剤HOCHCH3CH2OR8 (3)(R8は、炭素数1〜4のアルキル基を示す。)の存在下に加水分解することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。
請求項（抜粋）：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物を(B)下記一般式(3)で表される溶剤HOCHCH3CH2OR8 (3)(R8は、炭素数1〜4のアルキル基を示す。)の存在下に加水分解することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。
IPC (3件)：
C09D183/04
, H01L 21/312
, H01L 21/316
C09D183/04
, H01L 21/312 C
, H01L 21/316 H
4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038KA06
, 4J038NA21
, 5F058AA03
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH01
, 5F058AH02
, 5F058BA06
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC05
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ01
, 5F058BJ02
出願人引用 (17件)
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審査官引用 (17件)
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