特許
J-GLOBAL ID：200903016224038924

正方晶系構造のジルコニウム酸化膜形成方法及びその膜を備えたキャパシタの製造方法

発明者：
吉 ▲ドク▼ 信

吉 ▲ドク▼ 信 について

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宋 翰 相

宋 翰 相 について

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廉 勝 珍

廉 勝 珍 について

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朴 基 善

朴 基 善 について

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盧 載 盛

盧 載 盛 について

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金 珍 赫

金 珍 赫 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-180955
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281407
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】高誘電率及び高温で安定な正方晶系構造のジルコニウム酸化膜の形成方法及びその膜を備えたキャパシタの製造方法を提供すること。【解決手段】基板を配置した単原子蒸着用チャンバー内において、ジルコニウムソースの注入、パージ、酸化剤の注入及びパージを連続的に実施する単位サイクルを繰り返し行うか、又は、単原子蒸着用チャンバー内において、ジルコニウムソースの注入、パージ、酸化剤の注入及びパージを連続的に実施する第1サイクルと、前記酸化剤の注入(EXTRA_O3)及びパージを連続的に実施する第2サイクルからなる単位サイクルを繰り返し行い、正方晶系のジルコニウム酸化膜を基板上に形成する製造方法であって、単原子蒸着工程の際、基板温度と、酸化剤の濃度及び酸化剤の露出条件とを調節する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板を配置した単原子蒸着用チャンバー内において、ジルコニウムソースの注入、パージ、酸化剤の注入及びパージを連続的に1回実施する単位サイクルを繰り返し行いながら、正方晶系の結晶構造が前記基板上に形成されるように、前記基板の温度及び前記酸化剤の濃度を調節することを特徴とするジルコニウム酸化膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (3件)：
H01L21/316 X ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/04 C
Fターム (26件)：
5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD14 ,  5F083AD24 ,  5F083GA29 ,  5F083JA02 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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