特許
J-GLOBAL ID：200903016236169919
半導体レーザ励起固体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-323841
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093624
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 端面励起方式の半導体レーザ励起固体レーザにおいて、励起光の増大に伴うレーザ結晶の破損を防止してレーザ出力を増大させる半導体レーザ励起固体レーザを提供する。【解決手段】 端面励起方式の半導体レーザ励起固体レーザにおいて、レーザ結晶として、希土類イオン濃度が異なるだけで同じ組成式をした複数のレーザ結晶素子5,6,7を、励起光が入射する側から希土類イオン濃度の低い順に並べて配置すると共に、レーザ結晶のレーザが通過する面を除く側面に放熱手段10を設け、レーザが通過する面と直交する外側へ放熱させることによって、レーザ結晶に対する単位長当りのレーザ吸収量を平均化し且つレーザ結晶を冷却させるようにした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
出力鏡と少なくとも1枚の反射鏡の間でレーザ共振器を構成し、前記レーザ共振器に少なくとも希土類イオンを添加したレーザ結晶を配置し、さらに前記レーザ共振器の外部に配置された半導体レーザと、この半導体レーザの出力光を集光するための励光学系を配置し、前記レーザ共振器の光軸と同軸上に沿って出てくる前記半導体レーザの出力光で前記レーザ結晶を励起する半導体レーザ励起固体レーザにおいて、
前記レーザ結晶として、希土類イオン濃度が異なるだけで同じ組成式をした複数のレーザ結晶素子を、励起光が入射する側から希土類イオン濃度の低い順に並べて配置すると共に、前記レーザ結晶のレーザが通過する面を除く側面に放熱手段を設け、レーザが通過する面と直交する外側へ放熱させることを特徴とした半導体レーザ励起固体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5F072AB20
, 5F072JJ03
, 5F072JJ04
, 5F072KK12
, 5F072KK13
, 5F072PP07
, 5F072QQ02
, 5F072RR03
, 5F072TT02
, 5F072TT22
出願人引用 (2件)
-
特許第3098200号公報
-
米国特許第5,805,748号公報
審査官引用 (6件)
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