特許

J-GLOBAL ID：200903016296567530

変調器集積面発光レーザ

発明者： 中村 隆宏 ,  阿南 隆由 ,  仁道 正明 ,  小林 功郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-029781
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216862
出願日： 2005年02月04日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：

【課題】 環境温度の変化に対して、安定に高速変調が動作できる変調器集積面発光レーザを提供すること【解決手段】 本発明に係る変調器集積面発光レーザは、基板上に面発光レーザと光変調器が集積され、前記変調器の吸収端波長の温度変化の割合と前記面発光レーザの共振波長の温度変化の割合が同程度であるものである。変調器の吸収端波長と面発光レーザの発振波長の温度変化の割合が同程度であるならば、広い温度範囲において高速変調することが可能となる。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にIII-V族半導体で構成される面発光レーザとIII-V族半導体で構成される光変調器が集積された変調器集積面発光レーザにおいて、前記光変調器の吸収端波長の温度変化の割合と前記面発光レーザの共振波長の温度変化の割合が同程度である変調器集積面発光レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/026 ,  G02F 1/017 ,  H01S 5/183

FI (3件)：

H01S5/026 616 ,  G02F1/017 506 ,  H01S5/183

Fターム (22件)：

2H079AA02 ,  2H079BA01 ,  2H079DA16 ,  2H079EA07 ,  2H079KA18 ,  5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AD12 ,  5F173AF15 ,  5F173AF96 ,  5F173AG21 ,  5F173AH29 ,  5F173AL10 ,  5F173AL12 ,  5F173AL19 ,  5F173AP05 ,  5F173AP79 ,  5F173AR35 ,  5F173AR71

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 面発光型半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-086161   出願人：松下電器産業株式会社
• 変調器集積波長選択光源およびその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-049478   出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Jpn. J. Appl. Phys.,Vol. 37 (1998), pp. L1283-L1285
• 応用物理, 第70巻, 第11号(2001), pp.1321-1324