特許
J-GLOBAL ID：200903046671768090
面発光型半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-086161
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283836
出願日： 1996年04月09日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 面発光型半導体レーザ装置において変調の高速化と低チャープ化を図る。【解決手段】 面発光型レーザ装置は、第1のレーザ用電極101、第1のDBR層102、第1のクラッド層103、活性層104、第2のクラッド層105、第2のレーザ用電極106、高抵抗半導体層107、第1の変調用電極108、コンタクト層109、p型InP層110、第2のDBR層111、n型InP層112及び第2の変調用電極113を備えている。第2のDBR層111はInGaAsPよりなる障壁層とInGaAsPよりなる井戸層とが交互に形成された量子井戸構造を有している。第1の変調用電極108と第2の変調用電極113との間に電圧が印加されると、第2のDBR層113は活性層104から発生した光を吸収する。
請求項（抜粋）：
電流が注入されると光を発生する活性層と、該活性層の一方側に形成され前記活性層から発生する光を反射する第1の反射層と、前記活性層の他方側に形成され前記活性層から発生する光を反射する第2の反射層と、電圧が印加されると前記活性層から発生する光を吸収する電界吸収層とを備えていることを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。
引用特許：
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