特許
J-GLOBAL ID：200903016307969156
窒化けい素回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-245105
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093211
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】放熱性および構造強度に優れ、冷熱サイクルが付加された場合等においても、セラミックス基板のクラック発生や強度低下を有効に防止することができ、信頼性や製造性に優れる窒化けい素回路基板を提供する。【解決手段】希土類元素を酸化物に換算して1.0〜17.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で1.0重量%以下(検出限界としての0重量%を含む)含有し、熱伝導率が60w/m・k以上である高熱伝導性窒化けい素基板1と、この高熱伝導性窒化けい素基板1に接合された金属板2,3とを具備する窒化けい素回路基板4Bにおいて、前記金属板2の外周端部に、傾斜部2aまたは段部2bなどの薄部が形成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
希土類元素を酸化物に換算して1.0〜17.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で1.0重量%以下(検出限界としての0重量%を含む)含有し、熱伝導率が60w/m・k以上である高熱伝導性窒化けい素基板と、この高熱伝導性窒化けい素基板に接合された金属板とを具備する窒化けい素回路基板において、前記金属板の外周端部に薄部が形成されていることを特徴とする窒化けい素回路基板。
IPC (4件)：
H05K 1/03 610
, C04B 35/584
, H01L 23/14
, H05K 1/02
H05K 1/03 610 D
, H05K 1/02 A
, C04B 35/58 102 K
, H01L 23/14 M
